Members/メンバー – Hamaguchi lab's page

Staff / スタッフ

Professor / 教授

Tatsushi Hamaguchi / 濵口達史

1980生まれ。2004年に京都大学工学部物理工学科卒、2006年に京都大学大学院工学研究科材料工学専攻を修了し、2019年に上智大学より博士(工学)を取得。2006年に日亜化学工業株式会社に入社。その後2008年にソニー株式会社入社し、一貫して半導体レーザーの研究、事業化、量産に従事。2019年に同社Senior Scientist就任。2024年より三重大学半導体・デジタル未来創造センター教授(現職)。2019年に可視光面発光レーザーに関する研究によりSony Outstanding Engineer Awardを、2021年には応用物理学会優秀論文賞などを受賞。著書に「30日間で900点　英語嫌いな私のTOEIC (R)TEST勉強法(明日香出版社)」などがある。

Born in 1980. Graduated from Faculty of Engineering, Kyoto University in 2004, gained master’s degree at Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering, Kyoto University in 2006, and received a doctorate (engineering) from Sophia University in 2019. Joined Nichia Corporation in 2006, then joined Sony Corporation in 2008, and appointed at his current position in 2024. In 2019, he received Sony Outstanding Engineer Award and the Japan Society of Applied Physics Outstanding Paper Award for his research on visible-light surface-emitting lasers.

assistant professor / 助教

Kazuki Ohnishi / 大西一生

Google Scholar

1994年愛媛県生まれ。2017年に東北大学工学部情報知能システム総合学科卒。2019年に東北大学大学院工学研究科応用物理学専攻修士課程を修了、2022年に名古屋大学より博士(工学)を取得し、同年より名古屋大学未来材料・システム研究所天野研究室特任助教。2024年より三重大学半導体・デジタル未来創造センター助教(現職)。学部時代からハライド気相成長(HVPE)法を用いたGaNの結晶成長に従事し、HVPE法を用いた縦型p-n接合ダイオードやp型GaNを世界で初めて実現した。これらの成果により論文がApplied Physics Letters誌のEditor’s Pickに選出されたほか、2021年に春季応用物理学会講演奨励賞を受賞した。

Born in Ehime Prefecture in 1994. Graduated from the Department of Information and Intelligent Systems, Faculity of Engeneering , Tohoku University, in 2017. Completed the Master’s program in Applied Physics at the Graduate School of Engineering, Tohoku University, in 2019, and obtained a Doctorate (Engineering) from Nagoya University in 2022. In the same year, became a specially appointed assistant professor at the Amano Research Laboratory, Institute of Advanced Materials and Systems, Nagoya University. From 2024, serving as an assistant professor at the Semiconductor & Digital Future Creation Center, Mie University (current position). Since my undergraduate days, I have been involved in the crystal growth of GaN using the Halide Vapor Phase Epitaxy (HVPE) method, and I was the first in the world to realize vertical p-n junction diodes and p-type GaN using the HVPE method. These achievements led to my papers being selected as Editor’s Picks in the journal Applied Physics Letters, and I received the Spring Meeting Presentation Encouragement Award from the Japan Society of Applied Physics in 2021.